產(chǎn)品介紹

Newport818-BB 偏置光接收器

818-BB 系列偏置光電探測器是頗具成本效益的診斷工具，適合多種高速應(yīng)用，例如查看調(diào) Q、鎖模或快速調(diào)制激光器的信號以及皮秒激光器對準(zhǔn)。

硅、紫外硅、GaAs 和 InGaAs 版本

上升時間可達(dá) 35 ps

放大探測器可提供高達(dá) 26 dB 的增益

光纖耦合選件使對準(zhǔn)更加容易

Newport818-BB 偏置光接收器

對比	型號
	818-BB-21偏壓光電探測器，300-1100 nm，硅，1.2 GHz
	818-BB-27偏壓光電探測器，200-1100nm，硅，200 MHz
	818-BB-30偏壓光電探測器，1000-1600nm，InGaAs，2 GHz
	818-BB-31偏壓光電探測器，1000-1600nm，InGaAs，1.5 GHz，F(xiàn)C 輸入插孔
	818-BB-35偏壓光電探測器，1000-1650nm，InGaAs，12.5 GHz
	818-BB-36偏壓光電探測器，1475–2100 nm，擴(kuò)展型 InGaAs，12.5 GHz
	818-BB-36F偏壓光電探測器，1475-2100 nm，擴(kuò)展型 InGaAs，12.5 GHz，F(xiàn)C/UPC
	818-BB-40偏壓光電探測器，300-1100nm，硅，25 MHz
	818-BB-45偏壓光電探測器，400-900nm，GaAs，12.5 GHz
	818-BB-4F放大偏壓光電探測器，交流耦合，400-900nm，GaAs，9 GHz，F(xiàn)C/UPC

產(chǎn)品規(guī)格

Silicon Photodetectors

型號	818-BB-21	818-BB-27	818-BB-40
探測器材料	Silicon	UV Enhanced Silicon	Silicon
偏置電壓/偏壓	9 V	24 V	24 V
探測器類型	PIN	PIN	PIN
探測器直徑	0.4 mm	2.55 mm	4.57 mm
接收角	10°	50°	60°
波長范圍	300-1100 nm	200-1100 nm	350-1100 nm
3 dB 帶寬
上升時間	<300 ps	3ns	<30 ns
響應(yīng)度	0.47 A/W @ 830 nm	0.56 A/W @ 830 nm	0.6 A/W @ 830 nm
輸出接頭	BNC	BNC	BNC
NEP	<0.01 pW/√Hz	<0.1 pW/√Hz	<0.09 pW/√Hz
飽和電流	3 mA	2.5 mA	2 mA
結(jié)電容	<1.5 pF	<25 pF	<45 pF
反向擊穿電壓	20 V	150 V	50 V
螺紋類型	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4

GaAs and InGaAs Photodetectors

型號	818-BB-30	818-BB-31	818-BB-35	818-BB-45	818-BB-51
探測器材料	InGaAs	InGaAs	InGaAs	GaAs	Extended InGaAs
偏置電壓/偏壓	6 V	6 V	6 V	3 V	3 V
探測器類型	PIN	PIN	PIN	PIN	PIN
探測器直徑	0.1 mm	0.1 mm	0.032 mm		0.040 mm
接收角	20°	20°	30°	15°	20°
波長范圍	1000-1600 nm	1000-1600 nm	1000-1650 nm	500-890 nm	830-2150 nm
3 dB 帶寬	DC to 2 GHz	DC to 2 GHz	DC to 15 GHz	DC to 12.5 GHz	DC to 10 GHz
上升時間	175 ps	175 ps	25 ps	30 ps	28 ps
響應(yīng)度	0.8 A/W @ 1300 nm	0.9 A/W @ 1300 nm	0.88 A/W @ 1550 nm	0.53 A/W @ 830 nm	1.3 A/W @ 2.0 µm
輸出接頭	BNC	BNC	SMA	SMA	SMA
NEP	<0.1 pW/√Hz	0.1 pW/√Hz	<0.04 pW/√Hz	<0.02 pW/√Hz at 830 nm	<0.44 pW/√Hz @ 2000 nm
飽和電流	5 mA	10 mA	10 mA	10 mA
結(jié)電容	<0.75 pF	<1.25 pF	<0.12 pF	<0.3 pF
反向擊穿電壓	25 V	25 V	25 V	30 V
螺紋類型	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4

特征

硅版本和紫外增強(qiáng)硅版本

818-BB-20、-21 和 -40 由自由空間、小面積和大面積硅探測器組成，上升時間范圍在 300 ps-1.5 ns 之間。除 818-BB-40 之外，每個裝置都包括一個內(nèi)置的偏置電源，由標(biāo)準(zhǔn)的 3 V 鋰電池和 50 歐姆 BNC 連接器輸出組成。電池可輕松更換，在不使用時，斷開探測器與示波器輸入的連接可以延長電池的使用壽命。818-BB-40 附帶一個 24 VDC 的外接電源。818-BB-27 由增強(qiáng)了紫外響應(yīng)的硅探測器構(gòu)成，因此非常適用于 Nd:YAG、Nd:YLF 或其他釹玻璃激光器四次諧波以及準(zhǔn)分子激光器。此外，其寬闊的有效面積和快速的響應(yīng)時間使其成為 200 1100 nm 波段范圍內(nèi)you秀的通用偏置探測器。為了獲得快速響應(yīng)，此探測器配備了一個 24 VDC 外部電源。

UV-Enhanced Silicon Free Space Detector

The 818-BB-27 consists of a silicon detector with an enhanced ultraviolet response, making it well suited for the fourth harmonic Nd:YAG, YLF or Glass Lasers and Excimer Lasers. Additionally, its large active area and fast response time make it an excellent general-purpose biased detector for the 200 to 1100 nm wavelength region. To attain its fast response, this detector comes with a 24 VDC external power supply.

InGaAs Free Space Detectors

The 818-BB-30, -31, and -35
consist of free-space, small and large area
InGaAs detectors, with rise times ranging from 300 ps to 1.5 ns for covering the 1000-1600 nm wavelength range. Each unit includes a built-in bias supply consisting of standard 3 V lithium cells and a 50 ohm BNC connector output. The 818-BB-51 features an extended InGaAs photodetector with a wavelength range of
1475–2100 nm.

GaAs 和 InGaAs 版本

818-BB-30、-31、-35、-45 和 -51 由自由空間、小面積和大面積 GaAs 或 InGaAs 探測器組成，上升時間范圍在 300 ps-1.5 ns 之間。每個裝置都包括一個內(nèi)置的偏置電源，由標(biāo)準(zhǔn)的 3 V 鋰電池和 50 歐姆 BNC 連接器輸出組成。電池可輕松更換，在不使用時，斷開探測器與示波器輸入的連接可以延長電池的使用壽命。

光學(xué)接桿安裝

位于 818-BB 偏置光接收器底部的 8-32 螺紋孔可用于安裝光學(xué)接桿。

注意進(jìn)行 ESD 防護(hù)

這些探測器非常容易受到靜電釋放 (ESD) 的影響而造成損壞。在拆包和操作這些設(shè)備時，請使用 ESD 保護(hù)措施，例如 FK-STRAP。

上升時間可達(dá) 25 ps

818-BB-35 和 818-BB-45 光電二極管探測器模塊為 12.5 GHz 帶寬的超快速測量提供了低成本的解決方案。這些探測器適用于調(diào) Q 和超快激光輸出分析需要探測器上升時間 <25 ps（對于 818-BB-45 則 <30 ps）的應(yīng)用。這些探測器還使用 3 V 鋰電池（已提供）。